FDD86102: 100V N沟道PowerTrench® MOSFET。

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。

特性

• V_GS = 10 V，I_D = 8 A_{时，Max r}DS(on)
  = 24 mO
• 最大r_DS(on) = 38 mO （V_GS = 6 V, I_D = 6 A
  ）
• 高性能沟道技术可实现极低的r_DS(on)
  
• 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
  
• 与其他沟道技术相比，具有极低的Qg和Qgd
  
• 快速开关速度
  
• 100%经过UIL测试
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes