FDD86326: 80V N沟道PowerTrench® MOSFET

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。

特性

• V_GS = 10 V，I_D = 8 A时，最大r_DS(on) = 23mΩ
• V_GS = 6 V，I_D = 4.6 A时，最大r_DS(on) = 37 mΩ
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(on)
• 在广泛使用的表面贴装封装中可实现高功率和高电流处理能力
• 与其他沟道技术相比，具有极低的Qg和Qgd
• 快速开关速度
• 100%经过UIL测试
• 符合RoHS标准

Application Notes