FDD86540: N沟道PowerTrench® MOSFET(60V，50 A，4.1 mΩ)

该N沟道MOSFET专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进总体效率和在最大程度上减少DC/DC转换器的开关结点振铃而设计。已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

特性

• VGS = 10 V，ID = 21.5 A时，最大rDS(on) = 4.1 mΩ
• VGS = 8 V，ID = 19.5 A时，最大rDS(on) = 5 mΩ
• 100%经过UIL测试
• 符合RoHS标准

Application Notes