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FDD8882: 30V N沟道PowerTrench® MOSFET
此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。
数据手册DataSheet
FDD8882.pdf
特性
r
DS(ON)
= 11.5mΩ(典型值),V
GS
= 10V,I
D
= 35V
r
DS(ON)
= 15mΩ(典型值),V
GS
= 4.5V,I
D
= 35V
高性能沟道技术可实现极低的R
DS(on)
低栅极电荷
高功率和高电流处理能力
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDD8882
量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS
$0.201
TO-252 3L (DPAK) - 2.285 x 6.54 x 9.905mm, 卷带
TO-252 3L (DPAK) 示意图
最后更新: 2016年6月
TO252-3L, JEDEC OPTION AA REEL PACKING DRAWING
最后更新: 2016年10月
TO252-3L, PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
TO252-3L packing drawing
最后更新: 2013年5月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FDD
第三行
8882
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TO252-3L, JEDEC OPTION AA REEL PACKING DRAWING
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TO252-3L, PACKING DRAWING
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