FDFM2P110: -20V Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode
FDFM2P110将飞兆的PowerTrench MOSFET技术所带来的卓越性能与正向压降非常低的肖特基势垒整流器融合在MicroFET封装中。
该器件专门设计用作实现降压升压的单一封装解决方案。 它具有快速开关、低栅极电荷的MOSFET以及极低的通态电阻。
特性
- -3.5A，-20V
- RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = -4.5V
- RDS(ON) = 200 mΩ @ VGS = -2.5V
- 薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 3x3 mm封装
Ordering Code| 产品 | 产品和生态状况 | 单价/1K | 包装方法规则 | 丝印标记 |
|---|
| FDFM2P110 | 量产
绿色：截至2006年8月
中国 RoHS | $0.1842 | MLP 3x3 6L (Power 33)
-
0.8 x 3 x 3mm,
卷带 | 第一行$Y (飞兆徽标)
&Z (工厂编码)
&2 (2 位日期代码)
&K
第二行2P110
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