FDFMA2P853: -20V Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode

该器件专门设计为单封装解决方案，适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。 该器件具有一个低导通阻抗的MOSFET和一个独立连接的低正向电压肖特基二极管，以最大限度地降低传导损耗。

MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。

特性

• MOSFET：
  
• -3.0 A，-20V。
  
• R_DS(ON) = 120 mΩ @ V_GS = -4.5 V
  
• R_DS(ON) = 160 mΩ @ V_GS = -2.5 V
  
• R_DS(ON) = 240 mΩ（V_GS = -1.8 V时）
  肖特基：
  VF < 0.46 V (500 mA)
  
• 薄型 - 0.8mm最大值 - 采用新封装MicroFET 2x2 mm
  
• 符合 RoHS 标准