FDFMA3N109: 30V Integrated N-Channel PowerTrench®MOSFET and Schottky Diode

该器件特别设计为一个单封装解决方案，适用于手机和其他超便携应用的升压拓朴。 该器件具有一个低输入电容的MOSFET、完整的栅极电荷、导通电阻以及一个独立连接的肖特基二极管。此肖特基二极管具有低正向电压和反向漏电流，以尽可能提高升压效率。

MicroFET 2x2封装以其紧凑的尺寸提供了卓越的热性能，非常适用于开关和线性模式应用。

特性

• MOSFET：
  2.9 A, 30V R_DS(ON) = 123 mΩ @ V_GS = 4.5 V
  
• R_DS(ON) = 140 mΩ @ V_GS = 3.0 V
  
• R_DS(ON) = 163 mΩ（V_GS = 2.5
  V时）肖特基二极管：
  
• V_F < 0.46 V (500mA)
  
• 薄型 - 最厚0.8mm - 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
  
• HBM ESD保护电平 = 1.8kV典型值 （注3）
  
• 符合 RoHS 标准