FDFME3N311ZT: 30V Integrated N-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode

该器件特别设计为一个单封装解决方案，适用于手机和其他超便携应用的升压拓朴。 该器件具有一个带低输入电容、完整栅极电荷和通态电阻的MOSFET。 以及一个独立连接的低正向电压和反向泄漏电流的肖特基二极管，可最大限度地提高效率。

MicroFET 1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。

特性

• V_GS = 4.5 V，I_D = 1.6 A时，最大r_DS(on) = 299 mΩ
  
• V_GS= 2.5 V，I_D = 1.3 A时，最大r_DS(on) = 410 mΩ
  
• 薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
  
• 不含有卤化合物和氧化锑
  
• HBM静电放电保护等级为>1600V（注3）
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes