FDFS6N548: 30V Integrated N-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode

FDFS6N548将飞兆的PowerTrench MOSFET技术所带来的卓越性能与正向压降非常低的肖特基势垒整流器融合在SO-8封装中。

此器件专门设计为DC至DC转换器的单封装解决方案。 它具有快速开关、低栅极电荷的MOSFET以及极低的通态电阻。 独立连接的肖特基二极管允许其在大量DC/DC转换器拓扑下使用。

特性

• V_GS = 10V，I_D = 7A时，最大r_DS(on) = 23 mΩ
  
• V_GS = 4.5V，I_D = 0A时，最大r_DS(on) = 30 mΩ
  
• V_F < 0.45V (2A)
  
• V_F < 0.28V (100mA)
  
• 肖特基和MOSFET整合入单个功率表面贴装SO-8封装
  
• 电气独立肖特基和MOSFET引脚输出提供设计的灵活性
  
• 低米勒电荷