FDFS6N754: 30V Integrated N-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode

FDFS6N754将飞兆PowerTrench MOSFET技术所具有的卓越性能与正向压降非常低的肖特基势垒整流器融合在SO-8封装中。

此器件专门设计为DC至DC转换器的单封装解决方案。 它具有快速开关、低栅极电荷的MOSFET以及极低的通态电阻。 独立连接的肖特基二极管允许其在大量DC/DC转换器拓扑下使用。

特性

• 最大_DS(on) = 56mΩ（V_GS = 0V且I_D= 4A时）
  
• 最大r_DS(on) = 75mΩ（V_GS= 4.5V且I_D = 3.5A时）
  
• V_F 0.45V (2A)
  
• V_F 0.28V (100mA)
  
• 肖特基二极管和MOSFET整合在单电源表面贴装SO-8封装中
  
• 在电气上独立的肖特基二极管和MOSFET引脚可实现设计上的灵活性
  
• 低栅极电荷(Qg = 4nC)
  
• 低米勒电荷