FDG313N: 数字FET，N沟道

该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代双极性数字晶体管和小信号MOSFET。

特性

• 0.95 A，25 V。 R_DS(on) = 0.45 Ω @ V_GS = 4.5 V。 R_DS(on) = 0.60 Ω @ V_GS = 2.7 V。
• 低栅极电荷（1.64nC典型值）
• 极低电平的栅极驱动要求允许直接在3 V电路(V_GS(th)1.5V)中进行操作。
• 栅源齐纳二极管可实现ESD稳固性（6kV人体模型）。
• 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。

Application Notes