FDG315N: N沟道逻辑电平PowerTrench® MOSFET

此N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。      这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

特性

• 2 A，30 A V。 R_DS(on) = 0.12 Ω @ V_GS = 10 V。 R_DS(on) = 0.16 Ω @ V_GS = 4.5 V。
• 低栅极电荷（典型值2.1nC）。
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)。
• 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。

Application Notes