FDG6306P: P沟道2.5V额定PowerTrench® MOSFET _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FDG6306P: P沟道2.5V额定PowerTrench® MOSFET

此P沟道2.5V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。它已针对栅极驱动电压范围(2.5V – 12V)广泛的电源管理应用进行了优化。

**数据手册DataSheet**
FDG6306P.pdf

特性

-0.6 A、-20 V。
R_DS(ON) = 420 mΩ @ VGS = –4.5 V
R_DS(ON) = 630 mΩ @ VGS = –2.5 V
低栅极电荷
高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FDG6306P	量产绿色：截至2010年12月中国 RoHS	$0.1241	SC70 6L - 1.1 x 1.25 x 2mm, 卷带 SC70 6L 示意图最后更新: 2015年8月 SC70-6L T&R PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 SOT Tape and Reel Packing Drawing 最后更新: 2016年10月	第一行&E (空间) &E (空间) &E (空间) &. (引脚 1) 第二行&Y (二进制历年编码) 第三行&. (引脚 1) 06&G (每周日期代码)

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

Datasheet: FDG6306P.pdf













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