FDG6335N: 双20V N沟道PowerTrench MOSFET

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 它专为小型开关调节器而优化，可在小型封装中提供极低的RDS(ON)和栅极电荷(QG)。

特性

• 0.7A，20V。 R_DS(ON) = 300mΩ @ V_GS = 4.5V R_DS(ON) = 400mΩ @ V_GS = 2.5V
• 低栅极电荷（1.1nC，典型值）
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(on)
• 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。

Application Notes