FDH210N08: N 沟道 UniFETTM MOSFET

UniFETTMMOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

特性

• R_DS(on)=4.65 mΩ（典型值） @ V_GS=10 V, I_D=125 A
• 低栅极电荷（典型值 232 nC)
• 低C_rss（典型值 262 pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高了 dv/dt 性能

Application Notes