FDH3632: N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V、80A、9mΩ _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FDH3632: N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V、80A、9mΩ

**数据手册DataSheet**
FDH3632.pdf

特性

R_DS(on) = 7.5mΩ（典型值） @ V_GS = 10V, I_D = 80A
Q_G(tot) = 84nC（典型值） @ V_GS = 10V
低米勒电荷
低 Q_rr体二极管
UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）
符合 RoHS 标准

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FDH3632	量产绿色：截至2013年8月中国 RoHS	$3.0611	TO-247 3L - 4.7 x 15.62 x 20.57mm, 管装 TO-247 3L 示意图最后更新: 2016年9月 TO247-3L, JEDEC OPTION AB, PACKING DRAWING 最后更新: 2015年11月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行FDH3632

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

Datasheet: FDH3632.pdf












Other: Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation Last Update : 23-Oct-2014; Introduction to Power MOSFETs and their Applications Last Update : 29-Mar-2016; A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options Last Update : 05-Mar-2011; A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System Last Update : 03-Mar-2011; A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation Last Update : 05-Mar-2011; Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs Last Update : 26-Nov-2014; MOSFET Basics Last Update : 09-Sep-2013; Power MOSFET Avalanche Guideline Last Update : 05-Mar-2011; FRFET® in Synchronous Rectification Last Update : 28-Jun-2014; TO247-3L, JEDEC OPTION AB, PACKING DRAWING Last Update: Nov 2015; TO-247 3L Drawing Last Update: Sep 2016

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