FDMA008P20LZ: 20 V 单 P 沟道 PowerTrench® MOSFET

该器件专门设计用于手机和其他超便携应用的电池充电或负载开关。它包含一个 MOSFET， 具有低通态电阻和抵抗 ESD 的齐纳二极管保护功能。 MicroFET 2X2封装因其外形尺寸而具有卓越的热性能，非常适合线性模式应用。

特性

• 最大 r_DS(on) = 13 mΩ（V_GS = -4.5 V、I_D = -2.5 A
  
• 最大 r_DS(on) = 16 mΩ（V_GS = -2.5 V、I_D = -1.4 A
  
• 最大 r_DS(on) = 20 mΩ（V_GS = -1.8 V、I_D = -1.0 A
  
• 最大 r_DS(on) = 30 mΩ（V_GS = -1.5 V、I_D = -0.85 A
  
• 薄型 – 最大 0.8 mm，采用新型 MicroFET 封装
• HBM ESD 保护电平>1 kV 典型值（注 3）
  
• 无卤素化合物和锑氧化物
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes