FDMA1024NZ: 20V双N沟道PowerTrench® MOSFET

该器件是专为满足蜂窝手机和其他超便携应用中的双开关要求而设计的单封装解决方案。 该器件具有两个带低通态电阻的独立N沟道MOSFET，可最大限度地降低传导损耗。     MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。

特性

• V_GS = 4.5 V，I_D = 5.0 A时，最大r_DS(on) = 54 mΩ
• 最大r_DS(on) = 66 mΩ（V_GS = 2.5 V，_ID = 4.2 A）
• V_GS = 1.8 V，I_D = 2.3 A时，最大r_DS(on) = 82 mΩ
• V_GS = 1.5 V，I_D = 2.0 A时，最大r_DS(on) = 114 mΩ
• HBM ESD保护等级 = 1.6 kV（注3）
• 薄型 - 最厚0.8mm - 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
• 符合RoHS标准
• 无任何卤代化合物和锑氧化物

Application Notes