FDMA1025P: -20V双P沟道PowerTrench® MOSFET

该器件专门设计为单封装解决方案，适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。 该器件具有两个带低导通电阻的独立P沟道MOSFET，以最大限度地降低导通损耗。 当连接为典型共源配置时，可以实现双向电流流动。     MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。

特性

• 最大r_DS(ON) = 155mΩ（V_GS = -4.5V，I_D = -3.1A）
  
• 最大r_DS(ON) = 220mΩ（V_GS = -2.5V，I_D= -2.3A）
  
• 薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
  
• 符合 RoHS 标准
  
• 无任何卤代化合物和锑氧化物
  

Application Notes