该器件专为设计作为单封装解决方案,适用于手机和其他超便携应用中的DC/DC“开关”MOSEFT。 该器件具有一个带低通态电阻的独立N沟道和P沟道MOSFET,以最大限度地降低传导损耗。 每个MOSFET的栅极电荷也已被降至最低,以允许从控制器件直接实现高频率开关。 MicroFET 2x2封装虽然体积小巧,却能提供出色的热性能,非常适合开关应用。
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