FDMA291P: 单P沟道1.8V额定PowerTrench® MOSFET

该器件专为手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。 它具有带低通态电阻的MOSFET。 MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。

特性

• -6.6 A，-20 V
  
• R_DS(ON) = 42 mΩ @ V_GS = -4.5 V
  
• R_DS(ON) = 58 mΩ（V_GS = -2.5V
  ）
• R_DS(ON) = 98 mΩ（V_GS = -1.8V
  ）
• 薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
  
• 无任何卤代化合物和锑氧化物
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes