FDMA3023PZ: -30V双P沟道PowerTrench® MOSFET

该器件专门设计为单封装解决方案，适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。 该器件具有两个带低通态电阻的独立P沟道MOSFET，以最大限度地降低传导损耗。 当连接为典型共源配置时，可以实现双向电流流动。                                                                           MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。

特性

• 最大r_DS(on) = 90 mΩ（V_GS = -4.5 V，I_D= -2.9 A）
• 最大r_DS(on) = 130 mmΩ （V_GS = -2.5 V, I_D= -2.6 A）
• 最大r_DS(on) = 170 mmΩ （V_GS = -1.8 V, I_D= -1.7 A）
• 最大r_DS(on) = 240 mmΩ （V_GS = -1.5 V, I_D= -1.0 A）
• 薄型 – 最厚0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
• HBM静电放电保护等级为>2kV（注3）
• 符合RoHS标准

Application Notes