FDMA410NZ: 20V单N沟道1.5V额定PowerTrench® MOSFET

该单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成，用于优化VGS = 1.5 V时专用MicroFET引线框上的rDS(ON)。

特性

• V_GS = 4.5 V，I_D = 9.5 A_{时，Max r}DS(on)
  = 23 mΩ
• V_GS = 2.5 V，I_D = 8.0 A时，最大r_DS(on) = 29mΩ
  
• V_GS = 1.8 V，I_D = 4.0 A时，最大r_DS(on) = 36mΩ
  
• V_GS = 1.5 V，I_D = 2.0 A时，最大r_DS(on) = 50mΩ
  
• HBM静电放电保护等级为>2.5kV（注3）
  
• 薄型 - 最大0.8 mm - 采用新的MicroFET 2X2 mm封装
  
• 不含有卤化合物和氧化锑
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes