FDMA410NZT: 20 V 超薄 N-沟道 1.5 V PowerTrench® MOSFET

该单 N-沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 Power Trench 工艺设计而成，用于优化 VGS = 1.5 V 时专用 MicroFET 引线框上的rDS(ON)。

这种设计和 FDMA410NZ 相似，然而它采用我们先进的 0.55 mm 最大 2x2 MLP 新型封装技术。

特性

• 0.55 mm 最大封装高度 MicroFET 2x2 mm 封装
  
• 最大值 r_DS(on) = 23 mΩ（V_GS = 4.5 V、 I_D = 9.5 A
  
• 最大值 r_DS(on) = 29 mΩ（V_GS = 2.5 V、 I_D = 8.0 A
  
• 最大值 r_DS(on) = 36 mΩ（V_GS = 1.8 V、 I_D = 4.0 A
  
• 最大值 r_DS(on) = 50 m： （V_GS = 1.5 V、I_D = 2.0 A
  
• HBM 静电放电保护等级>2.5 kV（注 3）
  
• 薄型 – 最大 0.8 mm，采用新型 MicroFET 2x2 mm 封装
  
• 无卤素化合物和锑氧化物
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes