FDMA510PZ: -20V单P沟道PowerTrench® MOSFET

该器件专为手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。 它具有带低通态电阻的MOSFET。     MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。

特性

• V_GS = -4.5V，I_D = -7.8A时，最大r_DS(on) = 30 mΩ
  
• V_GS = -2.5V，I_D = -6.6A时，最大r_DS(on) = 37 mΩ
  
• V_GS = -1.8V，I_D = -5.5A时，最大r_DS(on) = 50mΩ
  
• V_GS = -1.5V，I_D = -2.0A时，最大r_DS(on) = 90 mΩ
  
• 薄型 - 最大0.8 mm - 采用新的MicroFET 2X2 mm封装
  
• HBM ESD保护等级> 3kV典型值（注3）
  
• 不含有卤化合物和氧化锑
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes