FDMA6023PZT: -20V双P沟道PowerTrench® MOSFET

该器件专门设计为单封装解决方案，适合蜂窝手机和其他超便携应用的电池充电开关。 该器件具有两个带低通态电阻的独立P沟道MOSFET，以最大限度地降低传导损耗。 当连接为典型共源配置时，可以实现双向电流流动。     MicroFET 2x2超薄封装针对其物理尺寸提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。

特性

• V_GS = -4.5 V，I_D = -3.6 A时，最大r_DS(on) = 60mΩ
  
• V_GS = -2.5 V，I_D = -3.0 A时，最大r_DS(on) = 80mΩ
  
• 最大r_DS(on) = 110 mΩ （V_GS = -1.8 V, I_D = -2.0 A
  ）
• V_GS = -1.5 V，I_D = -1.0 A时，最大r_DS(on) = 170mΩ
  
• 薄型 - 最厚0.55 mm - 采用新的MicroFET 2x2 mm薄型封装
  
• HBM静电放电保护等级> 2.4kV典型值 （注3）
  
• 符合RoHS标准
  
• 不含有卤化合物和氧化锑
  

Application Notes