FDMA7628: 20V单N沟道1.5V额定PowerTrench® MOSFET

此单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺设计而成，用于优化VGS = 1.5 V时专用MicroFET引线框上的rDS(ON)。

特性

• V_GS = 4.5 V，I_D = 9.4 A时，最大r_DS(on) = 14.5mΩ
  
• V_GS = 2.5 V，I_D = 8.3 A时，最大r_DS(on) = 18.2mΩ
  
• V_GS = 1.8 V，I_D = 7.3 A时，最大r_DS(on) = 23.3mΩ
  
• V_GS = 1.5 V，I_D = 6.2 A时，最大r_DS(on) = 32.3mΩ
  
• 薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes