FDMA8051L: 40V 单 N 沟道 PowerTrench®MOSFET _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FDMA8051L: 40V 单 N 沟道 PowerTrench®MOSFET

该器件设计用于提供同步降压转换器的最高效率和热性能。低 rDS(on)和栅极电荷提供了出色的开关性能。

**数据手册DataSheet**
FDMA8051L.pdf

特性

最大值 r_DS(on) = 14 mΩ（需 V_GS = 10 V, I_D = 10 A
最大值 r_DS(on) = 18 mΩ（需 V_GS = 4.5 V, I_D = 8.5 A
薄型 – 最大 0.8mm，采用新型 MicroFET 2x2 mm 封装
无卤素化合物和锑氧化物
符合 RoHS 标准

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FDMA8051L	量产绿色：截至2013年7月中国 RoHS	$0.479	MLP 2x2 6L (MicroFET) - 0.8 x 2.05 x 2.05mm, 卷带 MLP 2x2 6L (MicroFET) 示意图最后更新: 2014年5月 MLP06 Packing Drawing 最后更新: 2015年10月	第一行&Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K 第二行051

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

Datasheet: FDMA8051L.pdf












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