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FDMA86251: 150 V 单 N 沟道 PowerTrench® MOSFET
该器件设计用于提供同步降压转换器的最高效率和热性能。 低 rDS(on)和栅极电荷提供了出色的开关性能。
数据手册DataSheet
FDMA86251.pdf
特性
最大值 r
DS(on)
= 9.9 mΩ(V
GS
= 10 V, I
D
= 10.4 A 时)
最大值 r
DS(on)
= 237 mΩ(V
GS
= 6 V, I
D
= 2.0 A 时)
薄型 – 最大 0.8mm,采用新型 MicroFET 2x2 mm 封装
无卤素化合物和锑氧化物
符合 RoHS 标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDMA86251
量产 绿色:截至2014年10月 中国 RoHS
$0.5484
MLP 2x2 6L (MicroFET) - 0.8 x 2.05 x 2.05mm, 卷带
MLP 2x2 6L (MicroFET) 示意图
最后更新: 2014年5月
MLP06 Packing Drawing
最后更新: 2015年10月
第一行
&Z
(工厂编码)
&2
(2 位日期代码)
&K
第二行
251
Application Notes
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最后更新 : 2011年3月05日
FDMA86251.pdf
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Last Update: May 2014
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Last Update : 05-Mar-2011
A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
Last Update : 05-Mar-2011
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
Last Update : 23-Oct-2014
Introduction to Power MOSFETs and their Applications
Last Update : 29-Mar-2016
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