FDMA86265P: -150 P 沟道 PowerTrench® MOSFET

此 P 沟道 MOSFET 器件采用 Fairchild 先进的 PowerTrench® 工艺生产，工艺经过优化，可实现最低通态电阻，同时仍保持卓越的开关性能。

特性

• 最大 r_DS(on)=1.2 Ω（V_GS=-10 V、I_D=-1 A
• 最大 r_DS(on) =1.4 Ω（V_GS=-6 V、I_D=-0.9 A
• 薄型 – 最大 0.8mm，采用新型 MicroFET 2x2 mm 封装
• 中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低，非常适用于 Qg 较低的情况
• 本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准

Application Notes