FDMA905P: -12V单P沟道PowerTrench® MOSFET

该器件专为手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。 它提供了具有低通态电阻的MOSFET。

MicroFET 2X2封装因其外形尺寸而具有卓越的热性能，非常适合线性模式应用。

特性

• V_GS = -4.5 V且ID = -10 A时，最大r_DS(on) = 16 m_Ω
  
• V_GS = -2.5 V且ID = -8.9 A时，最大r_DS(on) = 21 m_Ω
  
• V_GS = -1.8 V且ID = -4.5 A时，最大r_DS(on) = 82 m_Ω
  
• 薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
  
• 不含有卤化合物和氧化锑
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes