FDMA910PZ: -20V单P沟道PowerTrench® MOSFET

该器件专为手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。 包含一个具有低导通电阻的MOSFET和齐纳二极管防静电放电保护。 MicroFET 2X2 封装因其外形尺寸而具有卓越的热性能，非常适合线性模式应用。

特性

• V_GS = -4.5 V，I_D = -9.4 A时，最大r_DS(on) = 20mΩ
  
• V_GS = -2.5 V，I_D = -8.6 A时，最大r_DS(on) = 24mΩ
  
• V_GS = -1.8 V，I_D = -7.2 A时，最大r_DS(on) = 34mΩ
  
• 薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
  
• HBM ESD 保护电平> 2.8 kV 典型值（注 3）
  
• 不含有卤化合物和氧化锑
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes