FDMC008N08C: 80 V N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench® MOSFET

N 沟道 MV MOSFET 采用安森美半导体的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺已优化实现通态电阻最小化，同时保持业界最佳的软体二极管

特性

• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 r_DS(on) = 7.8 mΩ（V_GS = 10 V, I_D = 21 A 时
• 最大值 r_DS(on) = 19.3 mΩ（V_GS = 6 V, I_D = 10 A 时
• 比其他 MOSFET 供应商的 Q_rr 低 50%
• 降低了开关噪声/EMI
• MSL1 强健封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准

Application Notes