FDMC2523P: -150V P沟道QFET® MOSFET

这些P沟道MOSFET增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合音频放大器、高效开关DC/DC转换器以及DC电机控制等低压应用。

特性

• VGS = -10V，ID = -1.5A时，最大rDS(on) = 1.5Ω
  
• 低C_rss（典型值10pF）
  
• 快速开关
  
• 低栅极电荷（典型值6.2 nC）
  
• 可提高dv/dt处理能力
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes