FDMC3020DC: N 沟道 Dual CoolTM PowerTrench® MOSFET

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。先进的硅技术和Dual Cool™ 封装技术完美融合，可在提供最小rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。该器件可被额外作为一个有效的单片肖特基体二极管使用。

特性

• Dual Cool™ 顶侧冷却PQFN封装
  
• V_GS = 10 V，I_D = 12 时，最大r_DS(on) = 6.25 mΩ
  
• V_GS = 4.5 V，I_D = 10 A时，最大r_DS(on) = 9.0mΩ
  
• 通态电阻 r_DS(on)
  极低的高性能技术
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes