FDMC610P: 12V P 沟道 PowerTrench® MOSFET

此 P 沟道 MOSFET 使用同步或传统的开关 PWM 控制器，专为提高 DC/DC 转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。已经针对低栅极电荷、低 rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

特性

• 最大值 r_DS(on) = 3.9 mΩ（V_GS = -4.5 V, I_D = -22 A
• 最大值 r_DS(on) = 6.4 mΩ（V_GS = -2.5 V, I_D = -16 A
• 一流的开关性能
• 更低的输出电容、栅极电阻和栅极电荷升压效率
• 屏蔽栅极技术降低了开关节点振铃，提高了抗EMI和交叉导通的能力
• 符合 RoHS 标准

Application Notes