FDMC7200: 30V 双N沟道PowerTrench® MOSFET

该器件包括两个专用N沟道MOSFET，采用双Power33 (3mm x 3mm MLP)封装。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(Q2)设计用于提供最佳电源效率。

特性

• Q1： N 沟道
  
• 最大值 r_DS(on) = 23.5 mΩ（V_GS = 10 V, I_D = 6 A
  时）
• 最大值 r_DS(on) = 38 mΩ（V_GS = 4.5 V, I_D = 5 A
  时）Q2： N 沟道
  
• 最大值 r_DS(on) = 12 mΩ（V_GS = 10 V, I_D = 8 A
  时）
• 最大值 r_DS(on) = 18 mΩ（V_GS = 4.5 V, I_D = 7 A
  时）
• 符合RoHS标准
  

Application Notes