FDMC7208S: 30V 双N沟道PowerTrench® MOSFET

该器件包括两个30V N沟道MOSFET，采用双Power33 (3mm x 3mm MLP)封装。 封装增强用于出色的热性能。

特性

• Q1： N沟道
  
• V_GS = 10V，I_D = 12A时，最大r_DS(on) = 9.0mΩ
  
• V_GS = 4.5 V，I_D = 11 A时，最大r_DS(on) = 11.0mΩ
  Q2： N沟道
  
• V_GS = 10V，I_D = 16 A时，最大r_DS(on) = 6.4mΩ
  
• V_GS = 4.5 V，I_D = 13.5 A时，最大r_DS(on) = 7.5mΩ
  
• 终端无引线且符合RoHS标准
  

Application Notes