FDMC7660S: 30V N沟道Power Trench® SyncFET™ _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FDMC7660S: 30V N沟道Power Trench® SyncFET™

FDMC7660S设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。先进的硅和封装技术完美融合，在保持卓越开关性能的同时，提供了最低的 rDS(on)。该器件具有高效单片肖特基体二极管的新增优点。

**数据手册DataSheet**
FDMC7660S.pdf

特性

最大值 r_DS(on)=2.2 mΩ（需 V_GS=10 V、I_D=20 A
最大值 r_DS(on)=2.95 mΩ（需 V_GS=4.5 V、I_D=18 A
高性能技术可实现极低的 r_DS(on)
终端无引线且符合RoHS标准

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FDMC7660S	量产绿色：截至2009年10月中国 RoHS	$0.4884	PQFN 3.3x3.3 8L (Power 33) - 1.1 x 3.3 x 3.3mm, 卷带 PQFN 3.3x3.3 8L (Power 33) 示意图最后更新: 2015年1月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行FDMC 第三行7660S

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9056 Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETs 最后更新 : 2014年9月02日

AN-9762 Fairchild Semiconductor Power33 Package Power MOSFET Solution in Multi-Cell Battery Protection Applications 最后更新 : 2014年6月28日

Datasheet: FDMC7660S.pdf













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