FDMC7664: 30V N沟道PowerTrench® MOSFET

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻而定制的。 该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。

特性

• 最大 r_DS(on) = 4.2 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 18.8 A
  ）
• 最大 r_DS(on) = 5.5 mΩ（V_GS = 4.5 V, I_D = 16.1 A
  ）
• 通态电阻 r_DS(on)
  极低的高性能技术
• 终端是符合 RoHS 标准的无铅产品
  

Application Notes