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FDMC8030: 40V N沟道PowerTrench® MOSFET
该器件包括两个专用N沟道MOSFET,采用双Power33 (3mm x 3mm MLP)封装。 封装增强用于出色的热性能。
数据手册DataSheet
FDMC8030.pdf
特性
V
GS
= 10 V,I
D
= 12 A时,最大r
DS(on)
= 10mΩ
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 10 A时,最大r
DS(on)
= 14mΩ
V
GS
= 3.2 V,I
D
= 4 A时,最大r
DS(on)
= 28mΩ
终端无引线且符合RoHS标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDMC8030
量产 绿色:截至2010年12月 中国 RoHS
$0.8085
MLP 3x3 8L (Power 33) - 0.8 x 3 x 3mm, 卷带
MLP 3x3 8L (Power 33) 示意图
最后更新: 2014年5月
MLP8L 3.3x3.3 Packing Drawing
最后更新: 2016年1月
MLP3X3 Tape And Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年9月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&2
(2 位日期代码)
&K
第二行
FDMC
第三行
8030
Application Notes
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A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
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最后更新 : 2014年10月23日
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AN-9010
MOSFET 基础
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A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
最后更新 : 2011年3月05日
FDMC8030.pdf
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Power MOSFET Avalanche Guideline
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MLP8L 3.3x3.3 Packing Drawing
Last Update: Jan 2016
MLP3X3 Tape And Reel Packing Drawing
Last Update: Sep 2016
A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
Last Update : 05-Mar-2011
A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
Last Update : 05-Mar-2011
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
Last Update : 23-Oct-2014
Introduction to Power MOSFETs and their Applications
Last Update : 29-Mar-2016
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