FDMC8097AC: 双 N & P 沟道 PowerTrench® MOSFET

这些双 N 沟道和 P 沟道增强模式功率 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 缩小所需区域，实现有源箝位拓扑；能够实现一流的功率密度。

特性

• 最大值 _rDS(on) = 152 mΩ（V_GS = 10 V, I_D = 2.4 A
  
• 最大值 r_DS(on) = 212 mΩ（V_GS = 6 V, I_D = 2 A
  
• 最大值 r_DS(on) = 1200 mΩ（V_GS = -10 V, I_D = -0.9 A
  
• 最大值 r_DS(on) = 1400 mΩ（V_GS = -6 V, I_D = -0.8 A
  
• 经过优化，可用于有源箝位正向转换器
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes