FDMC8200: 30V 双N沟道PowerTrench® MOSFET

该器件包括两个专用N沟道MOSFET，采用双Power33 (3mm x 3mm MLP)封装。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(Q2)设计用于提供最佳电源效率。

特性

• 最大值 R_DS(on) = 20 mΩ（V_GS = 10 V, I_D = 6 A
  
• 最大值 R_DS(on) = 32mΩ（V_GS = 4.5V, I_D = 5A
  
• 最大值 R_DS(on) = 9.5 mΩ（V_GS = 10 V, I_D = 9 A
  
• 最大值 R_DS(on) = 13.5mΩ（V_GS = 4.5V, I_D = 7A
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes