FDMC8554: 20V N 沟道 Power Trench® MOSFET _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FDMC8554: 20V N 沟道 Power Trench® MOSFET

此 N 沟道 MOSFET 是采用飞兆半导体先进的 Power Trench 工艺生产的稳固栅极版本。已针对开关性能和超低 rDS(on)进行了优化。

**数据手册DataSheet**
FDMC8554.pdf

特性

最大值 r_DS(on)=5 mΩ（条件为 V_GS=10 V、I_D=16.5 A）
最大值 r_DS(on)=6.4 mΩ（条件为 V_GS=4.5 V、I_D=14A
薄型 - 最大 1 mm，采用 Power 33 封装
符合 RoHS 标准

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
PCF8554W	废弃截至2016年11月16日绿色替代部件: 无中国 RoHS	不适用	裸片/晶圆导轨	第一行NO MARK
FDMC8554	量产绿色：截至2008年11月中国 RoHS	$0.6006	MLP 3.3x3.3 8L (Power 33) - 0.8 x 3.3 x 3.3mm, 卷带 MLP 3.3x3.3 8L (Power 33) 示意图最后更新: 2014年5月 MLP08S Packing Drawing 最后更新: 2016年1月 MLP8L 3.3x3.3 Packing Drawing 最后更新: 2016年1月 MLP3X3 Tape And Reel Packing Drawing 最后更新: 2016年9月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K 第二行FDMC 第三行8554

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9040 Assembly Guidelines for Power33 Packaging 最后更新 : 2011年3月05日

Datasheet: FDMC8554.pdf















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