FDMC86102: 100V N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench® MOSFET

N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。

特性

• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  
• 最大值 r_DS(on) = 24 mΩ（需 V_GS = 10 V, I_D = 7 A
  
• 最大值 r_DS(on) = 38 mΩ（需 V_GS = 6 V, I_D = 5 A
  
• 薄型 - 最大 1 mm，采用 Power 33封装
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes