FDMC86102L: 100V N 沟道 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FDMC86102L: 100V N 沟道 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET

N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了屏蔽栅极技术。该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。

**数据手册DataSheet**
FDMC86102L.pdf

特性

屏蔽栅极 MOSFET 技术
最大 r_DS(on) = 23 mΩ（V_GS=10 V、I_D=7 A 时）
最大 r_DS(on) = 34 mΩ（V_GS=4.5 V、I_D=5.5 A 时）
薄型 - 最大 1 mm，采用 Power 33封装
符合 RoHS 标准

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FDMC86102L	量产绿色：截至2010年9月中国 RoHS	$0.8904	MLP 3.3x3.3 8L (Power 33) - 0.8 x 3.3 x 3.3mm, 卷带 MLP 3.3x3.3 8L (Power 33) 示意图最后更新: 2014年5月 MLP08S Packing Drawing 最后更新: 2016年1月 MLP8L 3.3x3.3 Packing Drawing 最后更新: 2016年1月 MLP3X3 Tape And Reel Packing Drawing 最后更新: 2016年9月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K 第二行FDMC8 第三行6102L

Application Notes

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AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

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AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

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Datasheet: FDMC86102L.pdf















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