FDMC86260: 150V N-Channel Power Trench® MOSFET

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。

特性

• Max r_DS(on) = 34 mΩ （在V_GS= 10 V, I_D = 5.4 A
  时）
• 最大值r_DS(on) = 44 mΩ （在 V_GS = 6 V, I_D = 4.8 A
  时）
• 通态电阻rDS(on)极低的高性能技术
  
• 100%经过UIL测试
  
• 终端为无铅产品
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes