FDMC89521L: 60 V 双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FDMC89521L: 60 V 双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET

该器件包括两个60V N沟道MOSFET，采用双Power33 (3mm x 3mm MLP)封装。封装增强用于出色的热性能。

**数据手册DataSheet**
FDMC89521L.pdf

特性

最大值 r_DS(on)= 17 mΩ（V_GS= 10 V、I_D= 8.2 A 时）
V_GS= 4.5 V，I_D = 6.7 A时，最大r_DS(on) = 27mΩ
终端为无铅产品
符合 RoHS 标准

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FDMC89521L	量产绿色：截至2012年2月中国 RoHS	$1.0225	MLP 3x3 8L (Power 33) - 0.8 x 3 x 3mm, 卷带 MLP 3x3 8L (Power 33) 示意图最后更新: 2014年5月 MLP8L 3.3x3.3 Packing Drawing 最后更新: 2016年1月 MLP3X3 Tape And Reel Packing Drawing 最后更新: 2016年9月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K 第二行FDMC 第三行89521L

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

Datasheet: FDMC89521L.pdf













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