FDMD8280: 80 V 双 N 沟道 Power Trench® MOSFET

该器件包括两个 80 V N 沟道 MOSFET，采用双 Power (3.3 mm x 5 mm) 封装。 HS 源极和 LS 漏极内部连接实现半桥/全桥，低源极电感封装、低 rDS(on)/Qg FOM 硅片。

特性

• 最大 rDS(on) = 8.2 mΩ（VGS = 10 V、ID = 11 A 时）
• 最大 rDS(on) = 11 mΩ（VGS = 8 V、ID = 9.5 A 时）
• 是实现桥式拓扑初级端灵活布局的理想选择
• 终端无引线且符合 RoHS 标准
• 100% 经过 UIL 测试
• 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力

Application Notes