该封装内集成两个N-沟道,相互内部连接,组成共源结构。 如此极大地减少了封装的寄生效应,优化了到底部共源焊盘的传热路径。 从而以极小的尺寸 (3.3 x 5 mm) 实现了较高的功率密度
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