FDMD84100: 100V双N沟道PowerTrench® MOSFET

该封装内集成两个N-沟道，相互内部连接，组成共源结构。 如此极大地减少了封装的寄生效应，优化了到底部共源焊盘的传热路径。 从而以极小的尺寸 (3.3 x 5 mm) 实现了较高的功率密度

特性

• 最大值 r_DS(on) = 20 mΩ（需 V_GS = 10 V，I_D = 7 A）
• 最大 r_DS(on) = 32 mΩ (V_GS = 6 V, I_D = 5.5 A)
• 满足二次侧同步整流灵活布局的需要
• 终端无引线且符合 RoHS 标准
• 100% 经过 UIL 测试

Application Notes